Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі
Ключові слова:
транзистор шоткі, фізична модель, стійке підсиленняАнотація
Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення з різними схемами його включення і дозволяє зменшити вплив частини елементів корпуса і пасивної області кристала. Аналіз структури двозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ2) показав, що його можна розглядати як два однозатворних ПТШ1, стік одного з яких з'єднаний із джерелом другого ПТШ. Це дозволяє ставити задачу поширення способу визначення параметрів однозатворних ПТШ, на визначення ряду параметрів фізичної еквівалентної схеми двозатворних ПТШ.##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 31
Переглядів анотації: 132
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
М. А. Філинюк, Д. В. Гаврілов, і Л. Б. Ліщинська, «Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі», Вісник ВПІ, вип. 4, с. 93–96, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
