РАДІОВИМІРЮВАЛЬНИЙ СЕНСОР ТИСКУ З ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ НА ОСНОВІ ДВОКОЛЕКТОРНОГО ТЕНЗОТРАНЗИСТОРА
Ключові слова:
радіовимірювальний сенсор тиску, від’ємний опір, частотний вихідний сигналАнотація
Запропонована конструкція радіовимірювального мікроелектронного сенсора тиску з частотним вихідним сигналом, яка складається з біполярного двоколекторного тензотранзистора і двозатворного польового транзистора, що утворюють автогенераторний пристрій. На основі розв’язку рівняння коливальної системи автогенераторного пристрою сенсора отримано функцію перетворення, що описує залежність резонансної частоти від тиску, та рівняння чутливості. Чутливість сенсора тиску лежить в діапазоні від 1,12 кГц/кПа до 0,65 кГц/кПа.
Посилання
1. Бойко Н. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью /
Н. Н. Бойко, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, № 5. — С. 817—835.
2. Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе /
[Г. Г. Бабичев, В. И. Гузь, И. П. Жадько и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1992. — Т. 26. Вип. 7. —
С. 1244—1250.
3. Бабичев Г. Г. Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и
эмиттере / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловський, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33, № 3,
— С. 370—379.
4. Балтес Г. П. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля / Г. П. Балтес, Р. С. Попович //
«ТННЭР». — 1986. — Т. 74, № 8. — С.60—90.
5. Popovic R. S. Nall effect devices / Popovic R.S. — Bristol; Philadelphia: Institute of Physics. — 2004. — 419 p.
6. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М. : Энергия,
1979. — 168 с.
7. Баранский П. Н. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов : справ. / Баранский П. Н., Клочков В. П.,
Потыкевич И. В. — К. : Наукова думка, 1975. — 704 с.
8. Пат. № 2104619 Российская Федерация. МКН НО4R19/04. Электростатический микрофон / Осадчук В. С., Осад-
чук Е. В., Осадчук А. В. — № 95114269 ; заявл. 8.08.1995; опубл. 10.02.1998, Бюл. № 4. — 3 с.
9. Пат. № 34244А Україна, МКИ Н 04R 19/00. Напівпровідниковий пристрій для виміру тиску / Осадчук В. С., Осад-
чук О. В., Осадчук Е. В. — № 99063404 ; заявл. 18.06.1999 ; опубл. 15.02.2001, Бюл. № 1. — 2 с.
Н. Н. Бойко, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, № 5. — С. 817—835.
2. Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе /
[Г. Г. Бабичев, В. И. Гузь, И. П. Жадько и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1992. — Т. 26. Вип. 7. —
С. 1244—1250.
3. Бабичев Г. Г. Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и
эмиттере / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловський, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33, № 3,
— С. 370—379.
4. Балтес Г. П. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля / Г. П. Балтес, Р. С. Попович //
«ТННЭР». — 1986. — Т. 74, № 8. — С.60—90.
5. Popovic R. S. Nall effect devices / Popovic R.S. — Bristol; Philadelphia: Institute of Physics. — 2004. — 419 p.
6. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М. : Энергия,
1979. — 168 с.
7. Баранский П. Н. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов : справ. / Баранский П. Н., Клочков В. П.,
Потыкевич И. В. — К. : Наукова думка, 1975. — 704 с.
8. Пат. № 2104619 Российская Федерация. МКН НО4R19/04. Электростатический микрофон / Осадчук В. С., Осад-
чук Е. В., Осадчук А. В. — № 95114269 ; заявл. 8.08.1995; опубл. 10.02.1998, Бюл. № 4. — 3 с.
9. Пат. № 34244А Україна, МКИ Н 04R 19/00. Напівпровідниковий пристрій для виміру тиску / Осадчук В. С., Осад-
чук О. В., Осадчук Е. В. — № 99063404 ; заявл. 18.06.1999 ; опубл. 15.02.2001, Бюл. № 1. — 2 с.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 52
Переглядів анотації: 162
Опубліковано
2015-06-25
Як цитувати
[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, і Я. О. Осадчук, «РАДІОВИМІРЮВАЛЬНИЙ СЕНСОР ТИСКУ З ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ НА ОСНОВІ ДВОКОЛЕКТОРНОГО ТЕНЗОТРАНЗИСТОРА», Вісник ВПІ, вип. 3, с. 135–141, Черв. 2015.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
