RADIO-MEASURING SENSOR OF PRESSURE WITH FREQUENCY OUTPUT BASED ON DOUBLE-COLLECTOR TENZOTRANSISTOR
Keywords:
радіовимірювальний сенсор тиску, від’ємний опір, частотний вихідний сигналAbstract
The design of radio-measuring microelectronic sensor of pressure with a frequency output, which consists of two collector bipolar tenzotransistors and two gate field-effect transistor, which constitute autogenerating device. On the basis of solutions of oscillatory system of autogenerating sensor device the conversion function is obtained, which describes the dependence of the resonance frequency of the pressure, and the equation of sensitivity. The sensitivity of the pressure sensor is in the range of 1.12 kHz/kPa to 0.65 kHz/kPa.References
1. Бойко Н. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью /
Н. Н. Бойко, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, № 5. — С. 817—835.
2. Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе /
[Г. Г. Бабичев, В. И. Гузь, И. П. Жадько и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1992. — Т. 26. Вип. 7. —
С. 1244—1250.
3. Бабичев Г. Г. Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и
эмиттере / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловський, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33, № 3,
— С. 370—379.
4. Балтес Г. П. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля / Г. П. Балтес, Р. С. Попович //
«ТННЭР». — 1986. — Т. 74, № 8. — С.60—90.
5. Popovic R. S. Nall effect devices / Popovic R.S. — Bristol; Philadelphia: Institute of Physics. — 2004. — 419 p.
6. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М. : Энергия,
1979. — 168 с.
7. Баранский П. Н. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов : справ. / Баранский П. Н., Клочков В. П.,
Потыкевич И. В. — К. : Наукова думка, 1975. — 704 с.
8. Пат. № 2104619 Российская Федерация. МКН НО4R19/04. Электростатический микрофон / Осадчук В. С., Осад-
чук Е. В., Осадчук А. В. — № 95114269 ; заявл. 8.08.1995; опубл. 10.02.1998, Бюл. № 4. — 3 с.
9. Пат. № 34244А Україна, МКИ Н 04R 19/00. Напівпровідниковий пристрій для виміру тиску / Осадчук В. С., Осад-
чук О. В., Осадчук Е. В. — № 99063404 ; заявл. 18.06.1999 ; опубл. 15.02.2001, Бюл. № 1. — 2 с.
Н. Н. Бойко, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, № 5. — С. 817—835.
2. Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе /
[Г. Г. Бабичев, В. И. Гузь, И. П. Жадько и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1992. — Т. 26. Вип. 7. —
С. 1244—1250.
3. Бабичев Г. Г. Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и
эмиттере / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловський, В. А. Романов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33, № 3,
— С. 370—379.
4. Балтес Г. П. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля / Г. П. Балтес, Р. С. Попович //
«ТННЭР». — 1986. — Т. 74, № 8. — С.60—90.
5. Popovic R. S. Nall effect devices / Popovic R.S. — Bristol; Philadelphia: Institute of Physics. — 2004. — 419 p.
6. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М. : Энергия,
1979. — 168 с.
7. Баранский П. Н. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов : справ. / Баранский П. Н., Клочков В. П.,
Потыкевич И. В. — К. : Наукова думка, 1975. — 704 с.
8. Пат. № 2104619 Российская Федерация. МКН НО4R19/04. Электростатический микрофон / Осадчук В. С., Осад-
чук Е. В., Осадчук А. В. — № 95114269 ; заявл. 8.08.1995; опубл. 10.02.1998, Бюл. № 4. — 3 с.
9. Пат. № 34244А Україна, МКИ Н 04R 19/00. Напівпровідниковий пристрій для виміру тиску / Осадчук В. С., Осад-
чук О. В., Осадчук Е. В. — № 99063404 ; заявл. 18.06.1999 ; опубл. 15.02.2001, Бюл. № 1. — 2 с.
Downloads
-
PDF (Українська)
Downloads: 52
Abstract views: 162
Published
2015-06-25
How to Cite
[1]
V. S. Osadchuk, O. V. Osadchuk, and Y. O. Osadchuk, “RADIO-MEASURING SENSOR OF PRESSURE WITH FREQUENCY OUTPUT BASED ON DOUBLE-COLLECTOR TENZOTRANSISTOR”, Вісник ВПІ, no. 3, pp. 135–141, Jun. 2015.
Issue
Section
Radioelectronics and radioelectronic equipment manufacturing
License
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgment of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
