Humidity-sensitive dual-gate MIS-transistor

Authors

  • A .V. Osadchuk Вінницький національний технічний університет
  • A. Yu. Savytskyi Вінницький національний технічний університет

Keywords:

humidity-sensitive dual-gate mis-transistor, humidity, porous silicon oxide

Abstract

The paper deals with the structure and mathematical modeling of dual-gate humidity-sensitive MIS-transistor based on porous silicon oxide. Authors received analytical dependence of the impedance of the structure and graphic dependences of active and reactive component impedance and capacities of the structure with changes of ambient humidity. In the range of relative humidity from 10 to 90% capacity of the structure varies from 200 to 700 uF.

Author Biographies

A .V. Osadchuk, Вінницький національний технічний університет

завідувач кафедри радіотехніки

A. Yu. Savytskyi, Вінницький національний технічний університет

аспірант кафедри радіотехніки

References

1. Равновесные и неравновесные электодные процессы на пористом кремнии / [Е. А. Тутов, М. Н. Павленко, Е. Е. Ту-тов и др.] // Письма в ЖТФ. — 2006. — № 13. — С. 6—11.
2. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / [З. Ю. Готра, О. М. Мельник, В. Вуйцік та ін.]. — Львів : Ліга-Прес, 2002. — 422 с.
3. Влияние процессов адсорбции воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // [Е. А. Тутов, М. Н. Павленко, Е. Е. Тутов и др.] // Письма в ЖТФ. — 2003. — № 11. — С. 83—89.
4. Патент України № 40955, кл. G01N 21/53. Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі / В. С. Осадчук,
О. В. Осадчук, Л. В. Крилик, А. Ю. Савицький; опубл. 27.04.09, Бюл. № 8.

Downloads

Abstract views: 147

Published

2010-11-12

How to Cite

[1]
A. .V. Osadchuk and A. Y. Savytskyi, “Humidity-sensitive dual-gate MIS-transistor”, Вісник ВПІ, no. 6, pp. 93–96, Nov. 2010.

Issue

No 6 (2010)

Section

Radioelectronics and radioelectronic equipment manufacturing

Metrics

Downloads

Download data is not yet available.

License

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

  • Authors retain copyright and grant the journal right of first publication.
  • Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgment of its initial publication in this journal.
  • Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).