ВОЛОГОЧУТЛИВИЙ ДВОЗАТВОРНИЙ МДН-ТРАНЗИСТОР

Автор(и)

  • А .В. Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • А. Ю. Савицький Вінницький національний технічний університет

Ключові слова:

двохзатворний вологочутливий мдн-транзистор, вологість, пористий окис кремнію

Анотація

Розроблено структуру і проведено математичне моделювання двозатворного вологочутливого МДН-транзистора з чутливим шаром з пористого кремнію, на основі якого отримано аналітичну залежність повного опору структури, а також графічні залежності активної, реактивної складових повного опору та ємності структури від зміни вологості навколишнього середовища. В діапазоні відносної вологості від 10 до 90 % ємність структури змінюється від 200 до 700 мкФ.

Біографії авторів

А .В. Осадчук, Вінницький національний технічний університет

завідувач кафедри радіотехніки

А. Ю. Савицький, Вінницький національний технічний університет

аспірант кафедри радіотехніки

Посилання

1. Равновесные и неравновесные электодные процессы на пористом кремнии / [Е. А. Тутов, М. Н. Павленко, Е. Е. Ту-тов и др.] // Письма в ЖТФ. — 2006. — № 13. — С. 6—11.
2. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / [З. Ю. Готра, О. М. Мельник, В. Вуйцік та ін.]. — Львів : Ліга-Прес, 2002. — 422 с.
3. Влияние процессов адсорбции воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // [Е. А. Тутов, М. Н. Павленко, Е. Е. Тутов и др.] // Письма в ЖТФ. — 2003. — № 11. — С. 83—89.
4. Патент України № 40955, кл. G01N 21/53. Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі / В. С. Осадчук,
О. В. Осадчук, Л. В. Крилик, А. Ю. Савицький; опубл. 27.04.09, Бюл. № 8.

##submission.downloads##

  • PDF
    Завантажень: 56
Переглядів анотації: 147

Опубліковано

2010-11-12

Як цитувати

[1]
А. .В. Осадчук і А. Ю. Савицький, «ВОЛОГОЧУТЛИВИЙ ДВОЗАТВОРНИЙ МДН-ТРАНЗИСТОР», Вісник ВПІ, вип. 6, с. 93–96, Листоп. 2010.

Номер

№ 6 (2010)

Розділ

Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Ліцензія

Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:

  • Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публі­кації.
  • Автори можуть укладати окремі, додат­кові договірні угоди з неексклюзив­ного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опубліку­вати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
  • Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опубліко­ва­них робіт (див. вплив відкритого доступу).