ВЗАЄМОЗВ’ЯЗОК ТИПУ ВНУТРІШНЬОГО ЗВОРОТНОГО ЗВ’ЯЗКУ З ТИПОМ С-НЕГАТРОНА
Ключові слова:
негатрон, від’ємний активний опір, від’ємна ємність, зворотний зв’язок, чотириполюсникАнотація
Подано теоретичне обґрунтування взаємозв’язку типу внутрішнього зворотного зв’язку з видом кулон-вольтної характеристики та еквівалентної схемою С-негатрона. Показано, що позитивний зворотний зв’язок за напругою визначає кулон-вольтну характеристику N-типу та еквівалентну схему С-негатрона, що складається з негативної ємності та негативної активної провідності. Позитивний зворотний зв’язок за струмом (зарядом) визначає кулон-вольтну характеристику S-типу та еквівалентну схему С-негатрона, що складається з негативної ємності та позитивного активного опору.Посилання
1. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Т. 1. Теоретичні і фізичні основи негатроніки / М. А. Філинюк. — Вінниця : УНІВЕРСУМ—Вінниця, 2006. — 456 с.
2. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Т. 2. Прикладні аспекти негатроніки / М. А. Філинюк. — Вінниця : УНІВЕР-СУМ—Вінниця, 2006. — 306 с.
3. Пенин Н. А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах / Н. А. Пенин // ФТП. — 1996. — Т. 30, № 4. — С. 626—634.
4. Negative capacitance effect in semiconductor devices / M. Ershov, H. C. Liu, L. Li., M. Buchanan, Z. R. Wasilevski, A. K. Jonscher // IEEE Trans. On Electron Devices. — 1998. — Vol. 45, № 10. — P. 2196—2203.
5. Wu X. Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces / X. Wu, E. S. Yang, H. L. Evans // J. Apll. Phys. — 1990. — Vol. 68, № 6. — P. 2845—2848.
6. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов [и др.] // Известия академии наук. Серия физическая. — 1999. — № 2. — С. 312—318.
7. Отрицательная емкость в локально выращенных пленках поликристалического кремния / А. Г. Абдулаев, В. А. Ветхов, Ф. Д. Касимов [и др.] // Электронная техника, Сер. 3. Микроэлектроника. — 1985. — Т. 116, Вып. 4. — С. 21—25.
8. Partenskii M. B. The question of negative capacitance and its relation to instabilities and phase transitions at electrified interfaces / M. B. Partenskii, V. L. Dorman, P. C. Jordan // Int. Rev. Phys. Chem. — 1996. — No 11, 153. — P. 153—181.
9. Anup P. Jose. Distributed Loss-Compensation Techniques for Energy-Efficient Low-Latency On-Chip Communication / Anup P. Jose, Kenneth L. Shepard // IEEE Journal of Solid-State Circuits. — 2007. — Vol. 42, No. 6. — P. 1415 — 1424.
10. Kolev Svilen. Using a negative capacitance to increase the tuning range of a varactor diode in MMIC technology / Kolev Svilen, Delacressonniere Bruno, Gautier Jean-Luc // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. — 2007. — Vol. 49, No 12. — P. 2425—2430.
11. Zhirnov V. V. Negative capacitance to the rescue? / Victor V. Zhirnov, Ralph K. Cavin // Nature Nanotechnology. — 2008. — Vol. 3. — P. 77 — 78.
12. Бенинг Ф. Отрицательное сопротивление в электронных схемах / Ф. Бенинг. — М. : Сов. радио, 1975. — 286 с.
13. Гаряинов С. А. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивление / С. А. Гаряинов, И. Д. Абезгауз — М. : Энергия, 1970. — 319 с.
14. Barkhausen H. Warum kehren sich die fur den Lichtbogen gultigen Stabilitats-bedingungen bei Elektronenrohren um? // Physik. Zeitschrift. — 1926. — 27. — S. 43—36.
15. Бессонов Л. А. Нелинейные электрические цепи : учебное пособие для втузов / Л. А. Бессонов — [3-е изд.]. — М. : Высш. школа, 1977. — 343 с.
16. Филановский И. М. Схемы с преобразователями сопротивления / И. М. Филановский, А. Ю. Персианов, В. К. Ры-бин. — Л. : Энергия, 1973. — 192 с.
17. Марше Ж. Операционные усилители и их применение ; пер. с франц. / Ж. Марше. — Л. : Энергия, 1974. — 216 с.
18. Филинюк Н. А. Активные СВЧ фильтры на транзисторах / Н. А. Филинюк. — М. : Радио и связь, 1987. — 112 с.
19. Філинюк М. А. Дослідження енергетичних властивостей нелінійної ємності / М. А. Філинюк, О. О. Лазарєв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. — 2000. — № 4. — С. 94—97.
20. Бакалов В. П. Основы теории электрических цепей и электроники : учебник для вузов / В. П. Бакалов, А. Н. Игнатов, Б. И. Крук. — М. : Радио и связь, 1989. — 528 с.
2. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Т. 2. Прикладні аспекти негатроніки / М. А. Філинюк. — Вінниця : УНІВЕР-СУМ—Вінниця, 2006. — 306 с.
3. Пенин Н. А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах / Н. А. Пенин // ФТП. — 1996. — Т. 30, № 4. — С. 626—634.
4. Negative capacitance effect in semiconductor devices / M. Ershov, H. C. Liu, L. Li., M. Buchanan, Z. R. Wasilevski, A. K. Jonscher // IEEE Trans. On Electron Devices. — 1998. — Vol. 45, № 10. — P. 2196—2203.
5. Wu X. Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces / X. Wu, E. S. Yang, H. L. Evans // J. Apll. Phys. — 1990. — Vol. 68, № 6. — P. 2845—2848.
6. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов [и др.] // Известия академии наук. Серия физическая. — 1999. — № 2. — С. 312—318.
7. Отрицательная емкость в локально выращенных пленках поликристалического кремния / А. Г. Абдулаев, В. А. Ветхов, Ф. Д. Касимов [и др.] // Электронная техника, Сер. 3. Микроэлектроника. — 1985. — Т. 116, Вып. 4. — С. 21—25.
8. Partenskii M. B. The question of negative capacitance and its relation to instabilities and phase transitions at electrified interfaces / M. B. Partenskii, V. L. Dorman, P. C. Jordan // Int. Rev. Phys. Chem. — 1996. — No 11, 153. — P. 153—181.
9. Anup P. Jose. Distributed Loss-Compensation Techniques for Energy-Efficient Low-Latency On-Chip Communication / Anup P. Jose, Kenneth L. Shepard // IEEE Journal of Solid-State Circuits. — 2007. — Vol. 42, No. 6. — P. 1415 — 1424.
10. Kolev Svilen. Using a negative capacitance to increase the tuning range of a varactor diode in MMIC technology / Kolev Svilen, Delacressonniere Bruno, Gautier Jean-Luc // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. — 2007. — Vol. 49, No 12. — P. 2425—2430.
11. Zhirnov V. V. Negative capacitance to the rescue? / Victor V. Zhirnov, Ralph K. Cavin // Nature Nanotechnology. — 2008. — Vol. 3. — P. 77 — 78.
12. Бенинг Ф. Отрицательное сопротивление в электронных схемах / Ф. Бенинг. — М. : Сов. радио, 1975. — 286 с.
13. Гаряинов С. А. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивление / С. А. Гаряинов, И. Д. Абезгауз — М. : Энергия, 1970. — 319 с.
14. Barkhausen H. Warum kehren sich die fur den Lichtbogen gultigen Stabilitats-bedingungen bei Elektronenrohren um? // Physik. Zeitschrift. — 1926. — 27. — S. 43—36.
15. Бессонов Л. А. Нелинейные электрические цепи : учебное пособие для втузов / Л. А. Бессонов — [3-е изд.]. — М. : Высш. школа, 1977. — 343 с.
16. Филановский И. М. Схемы с преобразователями сопротивления / И. М. Филановский, А. Ю. Персианов, В. К. Ры-бин. — Л. : Энергия, 1973. — 192 с.
17. Марше Ж. Операционные усилители и их применение ; пер. с франц. / Ж. Марше. — Л. : Энергия, 1974. — 216 с.
18. Филинюк Н. А. Активные СВЧ фильтры на транзисторах / Н. А. Филинюк. — М. : Радио и связь, 1987. — 112 с.
19. Філинюк М. А. Дослідження енергетичних властивостей нелінійної ємності / М. А. Філинюк, О. О. Лазарєв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. — 2000. — № 4. — С. 94—97.
20. Бакалов В. П. Основы теории электрических цепей и электроники : учебник для вузов / В. П. Бакалов, А. Н. Игнатов, Б. И. Крук. — М. : Радио и связь, 1989. — 528 с.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 155
Переглядів анотації: 127
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
О. О. Лазарєв і М. А. Філинюк, «ВЗАЄМОЗВ’ЯЗОК ТИПУ ВНУТРІШНЬОГО ЗВОРОТНОГО ЗВ’ЯЗКУ З ТИПОМ С-НЕГАТРОНА», Вісник ВПІ, вип. 5, с. 127–133, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
